ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導電薄膜材料制備的復合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質量比例為90:10，這一比例在實際應用中表現出較為理想的光電特性，使其在透明導電薄膜中廣泛應用。
氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結構使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設備和顯示技術。
閉環之困：損耗與機遇并存
ITO靶材在濺射鍍膜過程中利用率通常僅30%左右，大量含銦廢料（廢舊靶材、邊角料、鍍膜腔室廢料）隨之產生。過去，這些價值的廢料往往被簡單處理或堆積。建立從“廢靶材→再生銦→新靶材”的閉環體系，成為破解資源約束的黃金路徑。
在堆積如山的廢棄手機、平板電腦和液晶顯示器深處，隱藏著一種被稱為“電子時代血脈”的稀有金屬——銦。它雖在自然界中蹤跡難尋，卻在ITO靶材（氧化銦錫）中扮演著不可替代的角色，驅動著全球億萬塊液晶屏幕的清晰成像。隨著電子產品更新換代加速，一條從“電子垃圾”到“戰略資源”的銦回收產業鏈正悄然崛起，成為保障產業與生態可持續的關鍵密碼。
