在實際生產(chǎn)中，ITO靶材通常被加工成圓形或矩形的塊狀，與濺射設(shè)備配合使用。濺射過程中，靶材的質(zhì)量直接影響薄膜的均勻性、附著力和性能。因此，高質(zhì)量的ITO靶材不僅是技術(shù)要求，更是生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性的保障。
盡管制備方法看似成熟，但實際操作中仍有不少難題需要攻克：
成分配比的性：氧化錫的摻雜量通常控制在5-10%之間，過高會導致透明度下降，過低則影響導電性。如何在微觀尺度上實現(xiàn)均勻混合，是一個技術(shù)挑戰(zhàn)。
靶材密度：低密度靶材在濺射時容易產(chǎn)生顆粒飛濺，導致薄膜出現(xiàn)缺陷。提高密度需要優(yōu)化壓制和燒結(jié)條件，但這往往伴隨著成本的上升。
微觀結(jié)構(gòu)的控制：靶材內(nèi)部的晶粒大小和分布會影響濺射的穩(wěn)定性。晶粒過大可能導致濺射不均，而過小則可能降低靶材的機械強度。
熱應力管理：在高溫燒結(jié)過程中，靶材可能因熱膨脹不均而產(chǎn)生裂紋，影響成品率。
這些難點要求制造商在設(shè)備、工藝和質(zhì)量控制上投入大量精力。
銦回收面臨的主要挑戰(zhàn)包括銦在電子設(shè)備中的低濃度和與其他金屬的合金化。傳統(tǒng)的回收方法難以有效提取，需要采用濕法冶金或火法冶金等先進技術(shù)。同時，回收過程中需確保電子廢物流的分類和處理，以減少污染物對回收過程的影響。
氧化銦是一種寬禁帶半導體，具有良好的光學透明性，而氧化錫的引入則增強了材料的導電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學和電學性能。ITO靶材的這一獨特特性使其成為透明導電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。
