核心工藝特點(diǎn)
鍍層材質(zhì)以銅、鎳、金、錫為主，適配不同電子場(chǎng)景需求。
對(duì)鍍層均勻性、厚度精度要求，通常需控制在微米級(jí)。
需結(jié)合載板材質(zhì)（如陶瓷、樹(shù)脂、硅）定制前處理和電鍍參數(shù)。
工藝流程
前處理：包括對(duì)載板進(jìn)行開(kāi)槽、打通孔等操作，然后將載板貼在承載膠上，植入芯片和金屬塊，進(jìn)行次塑封，形成塑封層；之后拆除承載膠，對(duì)一次塑封件另一面進(jìn)行第二次塑封，形成第二塑封層。
電鍍準(zhǔn)備：在塑封層和第二塑封層上打盲孔，以露出芯片的 IO 接口和金屬塊，然后對(duì)盲孔進(jìn)行真空濺射，并在二次塑封件的上、下兩面建立種子層。
電鍍沉積：通過(guò)電解或化學(xué)沉積方式，讓金屬離子在載板表面沉積形成所需的鍍層，如銅、鎳、金、錫等鍍層，在電鍍過(guò)程中需要控制電場(chǎng)、電鍍液成分、溫度、電流密度等參數(shù)，以確保鍍層的質(zhì)量和性能。
后處理：電鍍完成后，進(jìn)行清洗、烘干等操作，去除表面殘留的電鍍液和雜質(zhì)，然后對(duì)鍍層進(jìn)行檢測(cè)，如檢測(cè)鍍層厚度、附著力、孔隙率等，確保產(chǎn)品質(zhì)量符合要求。
關(guān)鍵技術(shù)
電鍍液配方：例如酸性銅盲孔填充電鍍液通常為高濃度的銅（200g/L 至 250g/L 硫酸銅）和較低濃度的酸（約 50g/L 硫酸），并添加抑制劑、光亮劑和整平劑等有機(jī)添加劑，以控制電鍍速率，獲得良好的填充效果和物理特性。
添加劑控制：通過(guò)控制添加劑的濃度和比例，利用抑制劑、光亮劑和整平劑的不同作用，實(shí)現(xiàn)盲孔的自下而上填充，避免大凹陷、敷形填充等問(wèn)題，同時(shí)保證鍍層的均勻性和表面質(zhì)量。
通訊載板電鍍加工工藝流程
前處理：包括對(duì)載板進(jìn)行激光鉆微導(dǎo)通孔、去鉆污等操作，然后用化學(xué)鍍銅或碳直接金屬化工藝等進(jìn)行初級(jí)金屬化，形成一層薄的導(dǎo)電晶種層，為后續(xù)電鍍做準(zhǔn)備。
圖形電鍍：在經(jīng)過(guò)前處理的載板上，通過(guò)光刻技術(shù)形成圖形，然后進(jìn)行電鍍，在線路 / 焊盤區(qū)域電鍍厚銅，通常厚度在 5-20μm，以實(shí)現(xiàn)電流傳輸與芯片鍵合支撐。
表面處理電鍍：根據(jù)需求在載板表面電鍍鎳、鈀、金等鍍層，如采用 ENEPIG/ENIG 工藝，提升焊盤的抗氧化性與鍵合可靠性。
后處理：電鍍完成后，進(jìn)行清洗、烘干等操作，去除表面殘留的電鍍液和雜質(zhì)，然后對(duì)鍍層進(jìn)行檢測(cè)，如檢測(cè)鍍層厚度、附著力、孔隙率等，確保產(chǎn)品質(zhì)量符合要求。
